RAM DDR5 đầu tiên ra mắt: Dung lượng lên tới 256GB bus 4800
Theo như nguồn tin chính thức SK Hynix, RAM DDR5 do hãng sản xuất sẽ có điện giảm xuống chỉ còn 1.1 V so với con số 1.2 V trước đó, tâng mật độ khuôn silicon tối đa lên hệ số 4, tăng gấp đôi tốc độ dữ liệu tối đa, tăng gấp đôi độ dài cụm và tăng gấp đôi số bank groups.Điều này có nghĩa rằng tuy điện năng của thanh RAM DDR5 giảm 10% nhưng hiệu năng và độ ổn định lại cao hơn những thanh DDR4 tiền nhiệm rất nhiều.
Dung lượng, tốc độ băng thông, sức mạnh và độ trễ là 4 thứ mà mọi hãng sản xuất RAM theo đuổi hiện nay và SK Hynix là hãng đầu tiên sản xuất được những thanh RAM DDR5 có đủ tất cả những yếu tố trên. Một thông số kỹ thuật đáng chú ý khác của DDR5 là mã sửa lỗi (ECC) được nhúng ngay bên trong chip có thể tự sửa ngay cả các lỗi cấp 1-bit. Với ECC, độ tin cậy của các ứng dụng sẽ được tăng lên gấp 20 lần. Cùng với đó, RAM DDR5 cũng có thể tạo ra dung lượng lên tới 256GB.
SK hy vọng những chip nhớ thân thiện với môi trường này sẽ giảm cả mức tiêu thụ điện năng và chi phí vận hành của các trung tâm dữ liệu vì DDR5 tiêu thụ ít điện năng hơn mà lại cải thiện được tính ổn định tốt hơn.
SK Hynix tự tin khẳng định tiêu chuẩn RAM DDR5 tốc độ cao mà hãng tạo ra có thể cải thiện để tối ưu hóa cho BigData, trí tuệ nhân tạo AI và máy học và sẽ là một tiêu chuẩn thế hệ tiếp theo của DRAM. Kể từ khi SK hynix công bố phát triển DRAM DDR5 đầu tiên trên thế giới vào tháng 11 năm 2018, công ty đã cung cấp cho các đối tác lớn bao gồm Intel các sản phẩm mẫu và đã hoàn thành nhiều thử nghiệm và xác minh về chức năng và khả năng tương thích của nó. Hy vọng rằng khi được sản xuất hàng loạt, RAM DDR5 do SK Hynix sản xuất sẽ là một bước tiến lớn trong lĩnh vực sản xuất phần cứng.
